삼성전자, GTC 2026서 HBM4E 첫 공개…베라 루빈 메모리 솔루션 선봬

삼성전자, GTC 2026서 HBM4E 첫 공개…베라 루빈 메모리 솔루션 선봬: 신현준 기자 / 2026-03-18 06:54:32

▲삼성전자가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 HBM4E을 최초로 공개했다. 아울러 Vera Rubin(베라 루빈) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션도 발표됐다.ⓒ뉴시스

삼성전자가 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 HBM4E을 최초로 공개했다. 아울러 Vera Rubin(베라 루빈) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션도 발표됐다.

삼성전자는 3월 16일부터 19일까지 진행하는 GTC 2026에 참여한다. 삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’로 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲Foundry ▲IDM(첨단 패키징을 아우르는 종합반도체) 기술력을 입증했다.

‘엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)’에서는 AI 플랫폼을 함께 구축해 나가는 양사의 전략적 협력을 드러냈다.

전시 공간을 ▲AI 팩토리즈(AI Factories, AI 데이터센터) ▲로컬 AI(Local AI, 온디바이스 AI) ▲피지컬 AI(Physical AI) 세 개로 나눠 GDDR7(그래픽용 D램), LPDDR6(저전력 D램), PM9E1(솔리드스테이트드라이브) 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개했다.

송용호 삼성전자 AI센터장이 17일(현지시간) 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나선다. 이 자리에서는 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 공개할 방침이다.

삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

삼성전자는 ‘엔비디아 갤러리’를 별도로 구성, ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시했다.

삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.

또 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.