SK하이닉스, ′미세공정′ 힘주며 메모리 경쟁력 강화에 박차

SK하이닉스, '미세공정' 힘주며 메모리 경쟁력 강화에 박차: 이진영 / 2021-08-20 11:16:58

SK하이닉스가 최근 D램 양산에 극자외선(EUV) 공정을 도입하는 등 기술 선도를 위해 적극 나서고 있다고 아이뉴스 24가 전했다.

SK하이닉스는 20일 뉴스룸을 통해 수율, 생산성, 원가경쟁력 등 3대 요소를 향상시키며 메모리 반도체 시장에서 우위를 점하기 위해 박차를 가하고 있다고 밝혔다.

앞서 SK하이닉스는 지난달 처음으로 EUV 공정 기술을 적용한 10나노급 4세대 D램 양산 계획을 밝힌 바 있다. 이전 세대인 10나노급 3세대(1z) 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.

제조·기술담당 산하 포토기술담당도 미세공정의 한계에 맞서 대응책을 찾기 위해 집중하고 있다. 제품의 공정 난이도와 요구 스펙을 사전에 정의하고, 필요한 기술을 자체 개발하거나 협력사와의 협업을 통해 확보하는 작업을 지속해오고 있다. 또 미래기술연구원과도 긴밀하게 협업하며 양산 시 발생할 수 있는 신규 난제를 개발 단계에 사전 반영해 개선하는 작업도 수행해오고 있다.